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        PFC中功率MOSFET常見的一種失效形式

        發布時間:2020-01-15 責任編輯:xueqi

        【導讀】TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統中,通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統反復起動的過程中,如系統動態老化Burn In測試、輸入打火測試,由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過程比較慢,特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況,會導致功率MOSFET管的驅動在起動的過程中,由于驅動電壓不足,容易進入線性區工作,功率MOSFET反復不斷的進入線性區工作,工作一段時間后,就會形成局部熱點而損壞。
         
        例1:戶外LED照明電源,拓撲結構為PFC+LLC,PFC兩個功率MOSFET并聯,PFC控制芯片ST6562臨界模式,Vin:90-305Vac,PFC輸出Vout即母線電壓460V,PFC電感是200uH。
         
        具體的情況如下:
         
        輸入端305Vac、220Vac進行打火測試,滿載情況下,電感電流會進入連續模式狀態,MOSFET失效。
         
        從失效的圖片,可以明顯的看到,功率MOSFET進入線性區失效。
         
        圖1:例1失效圖片
         
        例2:日光燈電子鎮流器的PFC電路,系統在動態老化測試過程中,MOSFET產生損壞失效,測試實際的電路,在起動過程中,MOSFET實際驅動電壓只有5V左右,MOSFET相當于有很長的一段時間工作在線性區,器件形成局部熱點,而且離G極比較近,因此,器件是在開通過程中,由于較長時間工作線性區產生的失效,工作波形和失效形態如圖2、圖3所示。
         
        圖2:例2失效圖片
         
        圖3:例2線性區的工作波形
         
        來源:松哥電源  
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