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        Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業界領先技術

        發布時間:2013-06-18 責任編輯:Cynthiali

        【導讀】Vishay 宣布將攜其全線最新技術方案,在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站(夏季會)上展出。Vishay的展位在3號館A214,展示亮點是其最新的業界領先的創新產品,包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產品。

        在2013中國電子展上,Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET,提高效率的600V和650V E系列器件,以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈照明LED驅動。重點展示的電源IC包括3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程的保護智能負載開關,5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級,100V全橋PWM控制器功率級。

        Vishay Semiconductors將展示多種二極管產品,包括SMPD封裝的45V~120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器和50V高電流密度器件,用于電動汽車、UPS和太陽能逆變器的Gen2 650 V FRED Pt®超快二極管,以及FRED Pt 超快恢復整流器。

        另外,Vishay Semiconductors的表面貼裝PAR®和TRANSZORB®瞬態電壓抑制器也讓人眼前一亮,還有白光高亮度、高功率LED模塊,高亮度0402和0603尺寸的ChipLED,以及全集成的接近和環境光傳感器等光電子產品。

        Vishay的無源元件包括多種最新型電容器、電阻和電感器。頗值得一看的電阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高電流溫度保險絲,Vishay Draloric 20kW不銹鋼功率電阻,以及采用模塑外殼的Vishay Dale Power Metal Strip®電池電流采樣電阻。

        主推的電容器包括Vishay Vitramon高頻RF和微波MLCC,可用于DC-link和AC應用的高峰值電流Vishay Roederstein薄膜電容器,以及Vishay ESTA功率電容器。主推的電容器還包括Vishay Sprague MICROTAN®固鉭片式電容器和Vishay液鉭電容器。

        Vishay Dale將展出薄型、高電流IHLP®器件等電感器,用于LED SEPIC轉換器電路的IHCL耦合電感器,IWAS無線充電的Rx線圈。

        除此以外,Vishay還將在2013中國電子展的展位上進行兩項產品演示。Vishay Siliconix將展示對優化了熱和電性能的SiZF904DT PowerPAIR® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors將系統演示采用低正向電壓和快速導通時間的TMBS整流器,以及高阻抗和減少信號損失的低CJ TVS產品。

        中國電子展是中國西部地區領先的和最全面的電子和信息行業的展會。更多信息,請訪問http://www.icef.com.cn/summer_eng/index_ge.shtm。
                                                 Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業界領先技術
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