產品特性：

• 60V和80V擊穿電壓
• 0.0016Ω通態電阻 (STH260N6F6-2)
• 180A額定電流 (STx260F6N6)
• 100%雪崩測試

應用范圍：

• 太陽能發電應用、電信設備
• 聯網設備以及服務器電源

橫跨多重電子應用領域、全球領先的功率芯片供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大采用第六代STripFET技術的高效功率晶體管的產品系列，為設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

最新的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用于太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、聯網設備以及服務器電源。高額定電壓可準許晶體管在48V電信應用中穩定工作，高能效還可有效降低運營商網絡成本。此外，這項技術不僅可降低消費電子的電源能耗，在可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗，并延長電池壽命。

首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的STP210N75F6和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半導體最新的DeepGATE溝道MOSFET架構，這五款產品擁有業界同類產品最低的單位芯片面積通態電阻。這些低損耗器件選擇多種微型工業標準封裝，使客戶能夠提高系統能效，同時降低印刷電路板的尺寸和總體組件數量/成本。

ST第六代功率MOSFET系列最新產品適用于太陽能發電應用、電信設備、聯網設備以及服務器電源

采用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2目前已上市。

采用PowerFLAT 5x6封裝的STL75N8LF6預計于2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間，同時優化輸出電流。