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        實現兆瓦級太陽能與風力發電變流器小型化和高效化
        搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發售

        發布時間:2012-05-10 來源:三菱電機

        MPD系列IGBT模塊的產品特性:「MPD系列IGBT模塊」
        • 搭載第6代IGBT芯片,有助電力轉換設備小型化和高效化
        • 確保與現有機型互相兼容,可更換
        MPD系列IGBT模塊的應用范圍:
        • 兆瓦級太陽能發電系統和風力發電系統的功率調節器等電力轉換設備

        為實現低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發電和風力發電等兆瓦級大規模發電系統的建設正在不斷增加,對功率調節器等電力轉換設備的小型化和高效化要求也日益提高。如果你想要實現發電系統進一步小型化、高效化,一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。

        三菱電機株式會社定于5月31日開始發售MPD系列※1IGBT模塊的3種新產品,這些產品搭載了第6代IGBT※2  芯片,用于兆瓦級太陽能發電系統和風力發電系統的功率調節器等電力轉換設備。

        本產品在2012年的PCIM Europe展 (5月8~10日在德國紐倫堡舉行)上展出。
        ※1  Mega Power Dual:大容量雙元件功率模塊
        ※2  Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體
                        
        MPD系列IGBT模塊新產品的特點


        1.搭載第6代IGBT芯片,有助電力轉換設備小型化和高效化
        • 采用第6代CSTBT※3,集電極與發射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
        • 柵電容比以前※4降低約30~50%
        • 最高結溫為175℃,比以前※4提高25℃,有助電力轉換設備小型化
              ※3  Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管
              ※4  第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」

        2.確保與現有機型互相兼容,可更換
        • 在外形、端子排列等方面,確保與之前第5代※4互相兼容
        • 絕緣耐壓為4000V,比以前※4提高14%~60%

        MPD系列IGBT模塊的
        環??紤]
        符合歐盟成員國限制6種特定有害物質的RoHS※5指令。
        ※5  Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

        MPD系列IGBT模塊的發售概要

                     MPD系列IGBT模塊的發售概要

        MPD系列IGBT模塊的銷售目標


        為實現低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發電和風力發電等兆瓦級大規模發電系統的建設正在不斷增加,這同時也對功率調節器等電力轉換設備的小型化和高效化提出更高要求。

        2002年,作為處理兆瓦級電力的IGBT模塊,本公司推出了以耐壓1200V、額定電流容量900A產品為首的3種MPD系列機型。本次,為滿足發電系統進一步小型化、高效化的需求,本公司推出搭載第6代IGBT芯片的3種MPD系列新機型。

        此外,該新產品不僅有助發電系統小型化和高效化,對工業機器的大容量變壓器和不間斷電源設備(UPS)等的小型化和高效化也有幫助。

        MPD系列IGBT模塊的主要規格
          MPD系列IGBT模塊的主要規格

        商標 :CSTBTTM是三菱電機株式會社的注冊商標。

        制作工廠:三菱電機株式會社 功率器件制作所  
        〒819-0192 福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號

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