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        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?

        發布時間:2021-04-15 責任編輯:lina

        【導讀】隨著電池和超級電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢。而雙向DC/DC轉換器可以保持電池健康,并延長其使用壽命。
          
        摘要
         
        隨著電池和超級電容等高效蓄能器的大量使用,更好的電流控制成為一種趨勢。而雙向DC/DC轉換器可以保持電池健康,并延長其使用壽命。
         
        簡介
         
        電池供電的便攜式設備越來越多,在如今的生活中扮演的角色也愈發重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術的發展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。這些蓄能器連接到可再生能源系統(太陽能和風能),收集和存儲能源,并穩定提供給用戶。其中一些應用需要快速充電或放電。這里我們將要介紹的是一種雙向DC-DC轉換器,其雙向性允許電流發生器同時具備充電和放電能力。雙向控制器可以為汽車雙電池系統提供出色的性能和便利性。而且,在降壓和升壓模式中采用相同的電路模塊,大大降低了系統的復雜性和尺寸,甚至可以獲得高達97%的能源效率,并且可以控制雙向傳遞的最大電流。
         
        電氣原理
         
        圖1顯示了簡單但功能齊全的電氣圖,其對稱配置可讓用戶選擇四種不同的工作模式。它由四個級聯降壓-升壓轉換器的單相象限組成,包括四個開關、一個電感器和兩個電容器。根據不同電子開關的功能,電路可以降低或升高輸入電壓。開關元件由碳化硅(SiC) MOSFET UF3C065080T3S組成,當然也可以用其它器件代替。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖1:雙向降壓-升壓轉換器接線圖
         
        四種工作模式
         
        用戶可以簡單配置四個MOSFET來決定電路的工作模式,具體包括如下四種:
         
        電池位于“A”端,負載位于“B”端,從“A”到“B”為降壓
         
        電池位于“A”端,負載位于“B”端,從“A”到“B”為升壓
         
        電池位于“B”端,負載位于“A”端,從“B”到“A”為降壓
         
        電池位于“B”端,負載位于“A”端,從“B”到“A”為升壓
         
        在該電路中,SiC MOSFET可以三種不同的方式工作:
         
        導通,對地為正電壓;
         
        關斷,電壓為0;
         
        脈動,具方波和50%PWM。其頻率應根據具體工作條件進行選擇。
         
        根據這些標準,SiC MOSFET的功能遵循圖2中所示的表格。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖2:四個SiC MOSFET的工作模式和作用
         
        模式一:降壓(Buck)A-B
         
        選擇模式一,電路將作為降壓器工作,即輸出電壓低于輸入電壓的轉換器。這種電路也稱為“step-down”。 其電壓發生器需連接在A側,而負載連接在B側。負載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下:
         
        SW1:以10 kHz方波頻率進行切換
         
        SW2:關斷,即斷開開關
         
        SW3:關斷,即斷開開關
         
        SW4:關斷,即斷開開關
         
        圖3中的曲線圖顯示了Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為12 V,輸出電壓約為9 V,因此電路可用作降壓器。其開關頻率選擇為10 kHz,輸出端負載為22 Ohm,功耗約為4W。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖3:Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓。
         
        模式二:升壓A-B
         
        模式二提供升壓操作,即作為輸出電壓高于輸入電壓的轉換器。這種電路也稱為“step-up”。 電壓發生器需連接在A側,而負載連接在B側。負載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下:
         
        SW1:導通,即關閉開關(柵級供電)
         
        SW2:關斷,即斷開開關
         
        SW3:關斷,即斷開開關
         
        SW4:以10 kHz方波頻率進行切換
         
        圖4中的曲線圖顯示了Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為12 V,輸出電壓約為35V,因此電路可用作升壓器。其開關頻率選擇為10 kHz,輸出端負載為22 Ohm,功耗約為55W。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖4:Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓。
         
        模式三:降壓B-A
         
        選擇模式三,電路也作為降壓器工作,即輸出電壓低于輸入電壓的轉換器。其電壓發生器需連接在B側,而負載連接在A側。負載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下:
         
        SW1:關斷,即斷開開關
         
        SW2:關斷,即斷開開關
         
        SW3:以100 kHz方波頻率進行切換
         
        SW4:關斷,即斷開開關
         
        圖5中的曲線圖顯示了Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為24 V,輸出電壓約為6.6V,因此電路可用作降壓器。其開關頻率選擇為100 kHz,輸出端負載為10 Ohm。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖5:Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓。
         
        模式四:升壓B-A
         
        選擇模式四,電路作為升壓器工作,即輸出電壓高于輸入電壓的轉換器。這種電路也稱為“step-up”。其電壓發生器需連接在B側,而負載連接在A側。負載效率取決于所采用的MOSFET器件。具體配置如下:
         
        SW1:關斷,即斷開開關
         
        SW2:以100 kHz方波頻率進行切換
         
        SW3:導通,即關閉開關(柵級供電)
         
        SW4:關斷,即斷開開關
         
        圖6中的曲線圖顯示了Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為18V,輸出電壓約為22V,因此電路可用作升壓器。其開關頻率選擇為100 kHz,輸出端負載為22 Ohm,功耗約為22W。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖6:Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓。
         
        結論
         
        電路的效率取決于許多因素,首先是所采用的MOSFET導通電阻Rds(on),它決定了電流是否容易通過(見圖7)。 另外,這種配有四個功率開關的電路需要進行認真的安全檢查。 如果SW1和SW2(或SW3和SW4)同時處于導通狀態,則可能造成短路,從而損壞器件。
         
        如何用碳化硅MOSFET設計雙向降壓-升壓轉換器?
        圖7:Boost A-B模式下,電感上的脈動電壓和電流曲線圖。
        (轉載來源:電子發燒友)
         
         
        免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請電話或者郵箱聯系小編進行侵刪。
         
         
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