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低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化硅分立器件性能優勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管（FWD）構成，續流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優點。
2023-10-24
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SiC優勢、應用及加速向脫碳方向發展
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術。
2023-09-24
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
2023-06-16
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改進新型反激式變換器中的同步整流器
反激式拓撲結構憑借其寬工作范圍內所具有的簡單性與穩健性，近幾十年來一直在低功率 AC/DC 應用中占據主導地位。而同步整流器 (SR) 也在最近幾年中取代了反激電源中傳統的肖特基二極管，實現了效率的明顯提升。
2023-06-13
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碳化硅肖特基二極管在光伏逆變器的應用
在全球推進清潔與可再生能源的偉大征程中，光伏發電行業一路蓬勃發展。根據國家能源局發布的全國電力工業統計數據顯示，2022年全國太陽能發電裝機容量同比增長率以28.1%居于發電行業首位，累計裝機容量達3.9億千瓦。
2023-04-17
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羅姆發布肖特基二極管白皮書，助力汽車、工業和消費電子設備實現小型化和更低損耗！
近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯網在工業設備、消費電子設備領域的普及，應用產品中搭載的半導體數量也與日俱增。其中，中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護電路，而被廣泛應用在從手機到電動汽車動力總成系統等各種電路和領域中，半導體廠商羅姆在這些領域中已經擁有驕人業績（圖1）。
2022-12-30
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什么是恒流二極管？
二極管是一種有極性的兩端電子元件，它在單個方向上傳導電流并阻止電流在另一個方向上流動，因為在一個方向上，它的電阻理想地為零，而在另一個方向上它是無限的。這些組件包括兩個端子，一個陽極和一個陰極。根據 PN 結二極管、齊納二極管、恒流二極管、肖特基二極管、發光二極管等要求，可以在各種電氣和電子項目中使用不同種類的二極管。本文下面討論了其中一種二極管恒流二極管及其應用。
2022-12-08
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碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高，運行速度更快，能夠有效降低產品成本、體積及重量。
2022-04-27
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碳化硅肖特基二極管在PFC電路中的應用
目前，在實現“綠色能源”的新技術革命中，眾多高頻開關電源已經開始實現高功率因數校正技術（特別是在通信電源中），其中采用有源功率因數校正的居多。連續導電模式Boost變換器是電源系統中應用較廣的功率因數校正變換器。
2022-04-06
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。
2022-02-08
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改進JBS結構以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力
肖特基二極管（SBD）具有反向恢復時間（trr）短、正向電壓（VF）低等優點，但也存在泄漏電流大等缺點。東芝的SiC SBD使用改進的結構克服了這個缺點。
2021-09-01
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